Технология ослабленного интерфейса
PCT/EP2011/068015 METHOD FOR FABRICATING A FREE-STANDING GROUP III NITRIDE SUBSTRATE
GaN
sapphire
Объемный нитрид галлия,  монокристалл на основе наноструктур
Плоскость
самоотделения--->

дислокация,        ?~ 106 - 107см-2
V.Nikolaev, et al. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE Phys. Status Solidi C, 1-3 (2014) / DOI 10.1002/pssc.201300432
пластины квазиобъёмного нитрида галлия
Пластина GaN после самоотделения от керамической подложки, толщина до 3 мм.
Диски диаметром 1.5 и 2 дюйма, вырезанные из пластины GaN
Пластина GaN диаметром 1.5 дюйма после шлифовки полировки, толщина 1.49 миллиметра.
M. G. Mynbaeva, et.al  Low-cost large-area GaN crystalline material (2014)
Монокристаллы оксида галлия
Пластина beta-Ga2O3 для эпитаксии GaN XRD w-scan FWHM(001) ~ 70 arcsec
Прозрачность пластин beta-Ga2O3
Фотолюминесценция слоя GaN/ beta-Ga2O3