Основу компании составляют научные сотрудники, проводящие исследования в области технологии роста кристаллов и эпитаксиальных структур нитридных полупроводников с 1992г.
Коллектив компании имеет значительный творческий потенциал и задел в данном направлении. Научные сотрудники коллектива - авторы большого количества научно-исследовательских публикаций, патентов по технологии нитридных полупроводников и оборудования для их создания.
Новые публикации:
M.Mynbaeva et al. Self-organized defect control during GaN homoepitaxial growth on nanostructured substrates. Phys. Status Solidi C 10, No. 3, 366-368 (2013) / DOI 10.1002/pssc.201200448 
В.Н. Бессолов и др. Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210). Письма ЖТФ, Т.39, №6, С.1-8 (2013)
V.Nikolaev et al. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers
grown by HVPE Phys. Status Solidi C, 1-3 (2014) / DOI 10.1002/pssc.201300432
М.Г. Мынбаева и др. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме. ФТП, Т.48, №3, С: 364-368 (2014) 
В.Н.Маслов и др. Выращивание кристаллов ?-Ga2O3 из собственного расплава. Письма ЖТФ, Т.40, №7, С.56-61 (2014)