Untitled Page

- Компанией ведется разработка опытной технологии получения подложек и структур для применения в энергоэффективных нитридных и оксидных полупроводниковых приборах нового поколения.
- Проект сфокусирован на качестве подложечных кристаллов и достижении низкой плотности дефектов. Разрабатывается процесс получения пластин объемного нитрида галлия с низкой плотностью дислокаций (менее 10⁶ см^-2), cтруктур на основе GaN/Ga₂O₃, темплэйтов различных политипов Ga₂O₃ на сапфире, Si, SiC.
- Задача проекта - развитие технологии производства GaN и Ga₂O₃ подложек и структур, удовлетворяющих требованиям опытного производства светодиодов, электронных приборов высоковольной и силовой техники на основе широкозонных полупроводников.

ООО «Совершенные Кристаллы» является инновационной компанией, главная цель которой - создание и развитие технологии производства подложечных кристаллов и структур для современных электронных и опто-электронных приборов УФ и видимого диапазона. Наша компания занята разработкой технологических процессов в области роста широкозонных полупроводниковых кристаллов и структур на основе GaN, AlN, InN, SiC, Ga₂O₃ и др.

Коллектив компании имеет значительный творческий потенциал и задел в данном направлении. Научные сотрудники и инженеры - авторы большого количества научно-исследовательских публикаций, патентов по технологии нитридных полупроводников и оборудования для их создания.