http://sk.ru/news
Данная страница в стадии разработки (август 2018)
- Компанией ведется разработка опытной технологии получения  подложек и структур для  применения в  энергоэффективных нитридных и оксидных полупроводниковых  приборах нового поколения.
- Проект сфокусирован на качестве подложечных кристаллов и достижении  низкой плотности дефектов. Разрабатывается процесс получения пластин объемного нитрида галлия с низкой плотностью  дислокаций (менее 106 см-2), cтруктур на основе GaN/Ga2O3, темплэйтов различных политипов Ga2O3 на сапфире, Si, SiC.
- Задача проекта  -  развитие технологии производства  GaN и Ga2O3 подложек и структур, удовлетворяющих требованиям опытного производства светодиодов, электронных приборов высоковольной и силовой   техники на основе широкозонных полупроводников.
ООО «Совершенные Кристаллы» является инновационной компанией, главная цель которой - создание  и развитие технологии производства подложечных кристаллов и структур для современных электронных и опто-электронных приборов УФ и видимого диапазона. Наша компания занята разработкой технологических процессов в области роста широкозонных  полупроводниковых кристаллов и структур на основе GaN, AlN, InN, SiC, Ga2O3 и др.

Коллектив компании имеет значительный творческий потенциал и задел в данном направлении. Научные сотрудники и инженеры - авторы большого количества научно-исследовательских публикаций, патентов по технологии нитридных полупроводников и оборудования для их создания.
Проект Фонда «Сколково»
http://sk.ru/foundation/energy/default.aspx
Vladimir.nikolaev@perfect-crystals.com
http://sk.ru/net/1110238/
http://sk.ru/news/